
Semua produk 100% diuji UIS dan memenuhi standar RoHS.
Diproduksi menggunakan teknologi transistor daya struktur parit.
SivF160N120T adalah MOSFET daya saluran-N dengan mode pengayaan.
- Nilai tegangan: 100 V
- Nilai arus: 160 A
- RDS resistansi maksimum (aktif): 3,8 mOhm
- Arus pembuangan: hingga 30 A pada VGS=10 V
- Resistansi dan muatan gerbang yang sangat rendah (umumnya Qg=93 nC)
- Semua produk 100% diuji UIS dan memenuhi standar RoHS
- Diproduksi menggunakan teknologi transistor daya struktur parit.
Peralihan beban
Modulasi PWM (PWM)
Manajemen daya