Memori tertanam UFS
BIWIN UFS adalah chip memori flash generasi berikutnya untuk sistem tertanam. Dibandingkan dengan standar eMMC 5.1 terbaru, kecepatan UFS tiga kali lebih cepat. Selain itu, saluran kontrol tambahan UFS 2.1 secara efektif memastikan transfer data yang aman dan menghilangkan kebutuhan latensi selama operasi baca dan tulis, yang merupakan faktor kunci dalam mencapai kecepatan UFS 2.1 yang lebih tinggi.
memori tertanam uMCP
BIWIN memperkenalkan chip memori terintegrasi uMCP5, menggabungkan UFS 3.1 dan LPDDR5X, untuk ponsel cerdas dan terminal pintar lainnya. Kecepatan baca sekuensial UFS 3.1 mencapai 2100 MB/s, kecepatan tulis sekuensial – 1800 MB/s; Frekuensi LPDDR5X mencapai 6400 Mbps; kapasitas memori - hingga 256 GB + 8 GB; Ukuran chipnya hanya 11,5×13,0×1,0 mm.
Memori ePOP bawaan
BIWIN ePOP memadukan memori ponsel MMC dan LPDDR dengan berbagai pilihan kapasitas dalam satu paket. Produk-produk ini banyak digunakan di perangkat seluler.
Memori eMMC tertanam
BIWIN eMMC, berkat desainnya yang ringkas dan canggih, memasuki pasar dalam waktu singkat. Ia menggunakan pengontrol berkinerja tinggi dan flash NAND yang andal, yang tidak hanya meningkatkan efisiensi transfer data, tetapi juga lebih konsisten melakukan lebih banyak operasi multitasking dengan kecepatan tinggi, memastikan pengalaman yang lancar saat menjelajahi web, mengunduh aplikasi, memutar video definisi tinggi, dan menjalankan game yang menuntut.
memori tertanam eMCP
Seiring dengan meningkatnya jumlah kode sistem operasi yang digunakan pada ponsel cerdas, dan terutama karena meluasnya adopsi sistem operasi Android, ponsel cerdas memiliki kebutuhan memori yang semakin tinggi.
memori LPDDR5
LPDDR5 mendukung mode multi-bank, kecepatan transfer data ditingkatkan dari 4266 Mbps menjadi 6400 Mbps. Penyesuaian dinamis beberapa kelompok tegangan mengurangi konsumsi energi sebesar 30%.
memori LPDDR4
LPDDR (Low Power Double Data Rate SDRAM) adalah jenis memori DDR yang memiliki fitur konsumsi daya rendah. Solusi BIWIN Low Power DDR mencakup beragam RAM, mulai dari performa tinggi hingga model dengan rasio harga-kinerja yang optimal.
BIWIN
BIWIN Storage Technology Co., Ltd. (selanjutnya disebut BIWIN) didirikan pada tahun 2010. Perusahaan ini mengkhususkan diri dalam penelitian dan pengembangan, pengemasan dan pengujian, produksi dan penjualan perangkat memori semikonduktor. Produk utamanya adalah perangkat memori semikonduktor, layanan utamanya adalah layanan pengemasan dan pengujian tingkat lanjut. Perangkat memori semikonduktor diklasifikasikan berdasarkan aplikasinya menjadi memori tertanam, memori PC, memori industri dan otomotif, memori perusahaan, dan memori seluler. Dengan misinya “Memori menjadikan segalanya cerdas,” perusahaan berupaya untuk menjadi penyedia solusi memori dan penyimpanan terkemuka di dunia, serta layanan pengemasan dan pengujian yang canggih. BIWIN adalah perusahaan terdaftar di pasar STAR, termasuk dalam indeks STAR 50, dan telah menerima investasi strategis dari putaran kedua Dana Pengembangan Sirkuit Terpadu Negara Tiongkok, Dana Investasi Internet Tiongkok, Dana Ventura Akademi Ilmu Pengetahuan Tiongkok, dll. Dengan fokus pada seluruh rantai industri perangkat memori semikonduktor, perusahaan telah membangun model bisnis solusi dan manufaktur terintegrasi, dan telah memperluas kehadirannya dalam tautan rantai kunci seperti pengembangan solusi penyimpanan, pengontrol memori desain, pengemasan dan pengujian memori, pengemasan canggih dan pengujian tingkat wafer, dan pembuatan peralatan uji memori. Produk chip memori perusahaan banyak digunakan di terminal cerdas seluler, PC, terminal industri, pusat data, kendaraan cerdas, penyimpanan data seluler, dan bidang teknologi informasi lainnya.
